多晶矽（polycrystalline silicon）是單質矽的一種形態。熔融的單質矽在過冷條件下凝固時，矽原子以金剛石晶格形態排列成許多晶核，如這些晶核長成晶麵取向不同的晶粒，則這些晶粒結合起來，就結晶成多晶矽。它有灰色金屬光澤，密度2.32~2.34g/cm3。熔點1410℃。沸點2355℃。溶於(yu) 氫氟酸和硝酸的混酸中，不溶於(yu) 水、硝酸和鹽酸。硬度介於(yu) 鍺和石英之間，室溫下質脆，切割時易碎裂。加熱至800℃以上即有延性，1300℃時顯出明顯變形。常溫下不活潑，高溫下與(yu) 氧、氮、硫等反應。高溫熔融狀態下，具有較大的化學活潑性，能與(yu) 幾乎任何材料作用。具有半導體(ti) 性質，是極為(wei) 重要的優(you) 良半導體(ti) 材料，但微量的雜質即可大大影響其導電性。電子工業(ye) 中廣泛用於(yu) 製造半導體(ti) 收音機、錄音機、電冰箱、彩電、錄像機、電子計算機等的基礎材料。由幹燥矽粉與(yu) 幹燥氯化氫氣體(ti) 在一定條件下氯化，再經冷凝、精餾、還原而得。多晶矽可作拉製單晶矽的原料，多晶矽與(yu) 單晶矽的差異主要表現在物理性質方麵。
       多晶矽是太陽能電池與(yu) 半導體(ti) 設備的主要原材料。根據矽純度，多晶矽可分為(wei) 太陽能級多晶矽（純度6個(ge) 9或以上）與(yu) 電子級多晶矽（純度11個(ge) 9或以上）。